近年平面1xnmNAND，TLC和3DV-NAND等在內(nèi)的閃存技術(shù)迅速發(fā)展，外置高速接口USB3.x已相當(dāng)普及，而Type-C的出現(xiàn)讓設(shè)備供應(yīng)商愿意在他們的設(shè)備上配備這種新型通用接口（包括在移動(dòng)設(shè)備和臺(tái)式機(jī)上）。這些進(jìn)步使得一種體積小巧、價(jià)格合適且高性能的存儲(chǔ)設(shè)備的出現(xiàn)成為了可能，以滿足日復(fù)一日的數(shù)據(jù)傳輸需求。

攝影器材

　　介紹：

　　大容量存儲(chǔ)盤(pán)有很多選擇，但外形尺寸限制了性能。因此，三星和閃迪等供應(yīng)商推出了單USB線供電的掌上型存儲(chǔ)設(shè)備。在CES2015上，三星發(fā)布了移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)，基于T1的市場(chǎng)成功，三星在CES2016上帶來(lái)了移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)SSDT3，并帶來(lái)四個(gè)主要改進(jìn)：

　　1.最大容量從1TB提高到2TB

　　2.從MicroUSB改用USB3.1TypeC接口

　　3.兼容Android平臺(tái)，并且自帶AES-256加密功能

　　4.具有部分金屬外殼，相比T1散熱效果更好

　　T3預(yù)計(jì)將在2月底開(kāi)賣(mài)，但三星已為媒體提供了評(píng)測(cè)樣品。

　　T1基于850EVO（相同的32層TLCV-NAND，具有完整的MEX/MGX主控，結(jié)合ASMediaASM1153ESATAtoUSB3.0橋耦合），然而T3有所不同，其2TB版并非基于三星850EVO和850PRO，后兩者的2TB版都使用8顆16-die封裝（唯一的區(qū)別是在EVO中的是TLCV-NAND，Pro中的是MLCV-NAND），但在T3的體積大小放入8顆閃存封裝似乎是一個(gè)大的延展，在我們拆解之前，先來(lái)看看由CrystalDiskInfo提供的信息。

　　雖然CrystalDiskInfo報(bào)告將TRIM作為特性，但快速TRIMCheck程序指出TRIM可用性是不確定的，三星幾乎不對(duì)TRIM有任何支持，而S.M.A.R.T信息在大多數(shù)常用工具中也是不可見(jiàn)的。在USB3.0端，驅(qū)動(dòng)器支持UASP（USB連接的SCSI協(xié)議），應(yīng)該為順序傳輸提供更高的性能。對(duì)于順序訪問(wèn)，標(biāo)稱(chēng)傳輸速率為450MBps，帶有硬件加速的AES-256加密。在本節(jié)的其余部分，我們將看一下內(nèi)部硬件，然后是一些使用建議（特別是從Android設(shè)備的DAS單元的角度）。

　　內(nèi)部硬件

　　相比T1，T3更容易拆卸，當(dāng)然普通用戶(hù)并不關(guān)心這一點(diǎn)，但它揭示了一些有趣的信息。拆解過(guò)程包括剝離兩個(gè)貼紙，取出四個(gè)螺絲，我們的拆卸過(guò)程中的各種圖片（包括過(guò)熱保護(hù)）可在下面的圖庫(kù)中找到。最后的圖片展示了ASMedia1153ESATAtoUSB3.0橋接芯片（也用在T1上），以及ASM154210Gbps信號(hào)無(wú)源開(kāi)關(guān)（用于啟用Type-C接口）。更有趣的組件是控制器和閃存包，雖然控制器（S4LN062X01）似乎是120-500GB850EVO驅(qū)動(dòng)器中使用的標(biāo)準(zhǔn)MGX控制器，但系統(tǒng)中只有4顆閃存。

　　容量有2TB，很明顯我們看到這是迄今為止，三星尚未在任何其它已有可用的存儲(chǔ)設(shè)備中使用過(guò)這樣的閃存。

　　閃存編碼為K9DUGB8S7M，由于單顆閃存有500GB的容量，有三種可能性：

　　1.32層TLCV-NAND，但每個(gè)封裝為32Die，而不是850EVOSATASSD中使用的16Die

　　2.32層TLCV-NAND，每個(gè)封裝為16Die，DieSize為256Gb，而不是850EVOSA攝影技巧TASSD中使用的128Gb的DieSize

　　3.48層TLCV-NAND，每個(gè)封裝16Die，256Gb的DieSize

　　三星沒(méi)有公布這一信息，我們有根據(jù)的猜測(cè)是（3）看起來(lái)是最可能的選擇。第一個(gè)線索是定價(jià)，2TB的價(jià)格為850美元（0.425美元/GB），它不是最便宜的SSD，每GB的成本高于T1（以0.60美元/GB的價(jià)格發(fā)布，現(xiàn)在已經(jīng)下降到0.34美元/GB左右）。這使我們懷疑這是最新一代TLCV-NAND，像T3這樣的外部設(shè)備將允許三星首先使用低容量，高利潤(rùn)的部分閃存，然后逐漸升級(jí)為消費(fèi)SSD。與內(nèi)部SSD的要求相比，對(duì)性能和耐用性的關(guān)注也較少。三星還在去年8月FMS上談到了256Gb48層TLCV-NAND批量生產(chǎn)，而T3中的閃存封裝很可能基于此。更新：三星確認(rèn)在移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)T3中使用的NAND確實(shí)是48層256GbTLCV-NAND。